GAA(Gate-All-Around)를 만들기 위한 에칭방법

GAA는 FinFET을 90도로 돌려서 nanosheet가 존재하게 되서 지느러미가 90도 뉘어서 쌓여있는 구조이다. nanosheet를 만들기 위해 SiGe를 증착시킨다. 그냥 증착도 아니고 실리콘위에 super-lattice라고 하는 깔끔한 배열로 만들어야한다. 

SiGe 층을 만들고 나면 채널을 만들기 위해 SiGe를 깍아내야한다. 
게이트에 high-K를 증착시키고 메탈을 증착시킨다.
150:1 SiGe : Si 이상의 비율로 높은 선택비로 깍아내야 한다. 가장자리도 깔끔하게 말이다. 선택비가 떨어지면 전자모빌리티도 떨어지고 채널 저항도 높아지게 된다. (FinFET보다 성능이 떨어질 수도 있다) 앞으로의 에칭은 SiGe를 아주 얇고 깊게 깍아낼 수 있어야 한다. 

IBM과 TEL의 최신논문에서 횡축 GAA 에칭에서 150:1 selectivity를 달성했다.

문제는 화학물질을 찾는게 아니라 윗층의 시트와 아래층의 시트가 깊이에 따라 다르게 에칭되는게 문제! 윗층이 아래층보다 더 많은 영향을 받기 때문이다. 윗층과 아래층이 거의 차이없이 깍여나가게 해야한다.